Экситонный спектр поглощения и фазовые переходы в тонких пленках сегнетоэластиков Сs₂CdI₄ и Rb₂CdI₄
Исследован спектр поглощения тонких пленок сегнетоэластиков M₂CdI₄ (M: Cs, Rb) со структурой типа β-K₂SO₄ в интервале энергий 3-6 эВ и температур 90-420 К. Установлено, что оба соединения относятся к прямозонным диэлектрикам, и низкочастотные электронные и экситонные возбуждения локализованы в CdI₄²...
Saved in:
| Date: | 2003 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2003
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Экситонный спектр поглощения и фазовые переходы в тонких пленках сегнетоэластиков Сs₂CdI₄ и Rb₂CdI₄ / О.Н. Юнакова, В.К. Милославский, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 8. — С. 922-929. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Исследован спектр поглощения тонких пленок сегнетоэластиков M₂CdI₄ (M: Cs, Rb) со структурой типа β-K₂SO₄ в интервале энергий 3-6 эВ и температур 90-420 К. Установлено, что оба соединения относятся к прямозонным диэлектрикам, и низкочастотные электронные и экситонные возбуждения локализованы в CdI₄²⁻ структурных элементах кристаллической решетки соединений. По температурным зависимостям спектрального положения и полуширины низкочастотных экситонных полос в Rb₂CdI₄ обнаружен фазовый переход при 380 К (парафаза → несоразмерная), фазовый переход I рода при 320 К (несоразмерная → первая сегнетоэластическая) и II рода при 210 К (первая → вторая сегнетоэластические фазы). Подобные, но менее выраженные, фазовые переходы найдены в Cs₂CdI₄ при более низких температурах. В сегнетоэластических фазах исследованных соединений появляется дополнительное уширение полос, связанное, по-видимому, с рассеянием экситонов на флуктуации деформации в области доменных границ. |
|---|