Рамановские исследования температурного поведения внутренних колебаний ионов аммония в смешанных кристаллах K₁₋xAxDP и R₁₋xAxDP
В смешанных кристаллах K₁₋x(NH₄)xH₂PO₄ с различным содержанием аммония ( x =0,22; 0,32; 0,53; 0,74; 0,82) в интервале температур 4,2-300 К исследованы рамановские спектры в области частот внутренних колебаний ионов аммония. Анализ температурных зависимостей частот и полуширин линий внутренних колеба...
Saved in:
| Date: | 2001 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2001
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Рамановские исследования температурного поведения внутренних колебаний ионов аммония в смешанных кристаллах K₁₋xAxDP и R₁₋xAxDP / А.В. Ванькевич, Ю.А. Попков, И.А. Таранова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 1. — С. 80-89. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | В смешанных кристаллах K₁₋x(NH₄)xH₂PO₄ с различным содержанием аммония ( x =0,22; 0,32; 0,53; 0,74; 0,82) в интервале температур 4,2-300 К исследованы рамановские спектры в области частот внутренних колебаний ионов аммония. Анализ температурных зависимостей частот и полуширин линий внутренних колебаний ионов аммония подтверждает тот факт, что в параэлектрической фазе положение ионов аммония в решетке кристаллов не фиксировано, т.е. они совершают перескоки с изменением положения центра масс. Определены энергии активации таких переориентационных процессов. Обнаружено, что при температурах порядка 110-120 К для кристаллов K₁₋x(NH₄)xH₂PO₄ всех концентраций происходит скоррелированная фиксация ионов аммония в решетке, приводящая к формированию антисегнетоэлектрической кластерной структуры. Такая структура для кристаллов с концентрациями x=0,22; 0,32; 0,53 сохраняется в фазе структурного стекла до температур жидкого гелия, а для кристаллов с x=0,74; 0,82 -до температур антисегнетоэлектрического фазового перехода TN (68,5 и 80,5 соответственно). Аналогичные процессы обнаружены и в изоструктурном кристалле Rb₀,₂₀(NH₄)₀,₈₀H₂PO₄. |
|---|