Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков
Рассмотрена модель ограничения критического тока в достаточно совершенных ВТСП кристаллах и эпитаксиальных пленках с блочной структурой при малых углах разориентации кристаллических блоков θ, когда расстояние d между краевыми дислокациями вдоль границ раздела блоков больше, чем длина когерентности ξ...
Saved in:
| Date: | 2001 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2001
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков / Э.А. Пашицкий, В.И. Вакарюк, С.М. Рябченко, Ю.В. Федотов // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 131-139. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Рассмотрена модель ограничения критического тока в достаточно совершенных ВТСП кристаллах и эпитаксиальных пленках с блочной структурой при малых углах разориентации кристаллических блоков θ, когда расстояние d между краевыми дислокациями вдоль границ раздела блоков больше, чем длина когерентности ξ(T). Показано, что в этих условиях прозрачность малоугловых границ раздела для сверхпроводящих носителей тока вблизи критической температуры Tc практически не зависит от θ и T. В результате единственным фактором, определяющим температурную зависимость плотности критического тока jc(T), остается ток распаривания j₀ (T) µ (1 - T/Tc)³/². Вблизи Tc, когда ξ(T) > d, происходит переход от зависимости jcT) ~ (1 - T/Tc)³/² к jc(T) ~ (1-T/Tc)². Такое поведение jc(T) хорошо согласуется с результатами проведенных экспериментов по измерению критических токов в тонких эпитаксиальных пленках YBa₂Cu₃O₇₋d . |
|---|