Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe - Цибрий, З.Ф.; Андреева, Е.В.; Апатская, М.В.; Бунчук, С.Г.; Вуйчик, Н.В.; Голенков, А.Г.; Дмитрук, Н.В.; Забудский, В.В.; Лысюк, И.А.; Свеженцова, Е.В.; Смолий, М.И.; Сизов, Ф.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)
Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы оптические, фотоэлектрические и вольт-амперные характеристики дискретных КРТ-фотодиодов для спектрального диапазона 3 5 мкм с целью достижения необходимых эксплуатационных параметров. Установлено, что полученные фотодиоды могут работать в режимах, ограниченных флуктуациями фонового излучения (BLIP-режим).