Метод вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду в напівпровіднику та їх часу життя за допомогою фотонного кристалу з дефектною модою - Чернишов, Б.В.; Головащенко, Р.В.; Деркач, В.М.; Тарапов, С.І. (Радіофізика та електроніка, 2017)
Целью работы является экспериментальное исследование влияния свойств кремниевого дефектного слоя диэлектрического фотонного кристалла на спектральные свойства пика пропускания. Показано влияние толщины дефектного слоя на частоту дефектной моды. Продемонстрирована и проанализирована при помощи фотонного кристалла возможность изменения характеристик пика пропускания посредством облучения кремниевого слоя зеленым лазером. Экспериментально обнаружено, что облучение приводит к уменьшению величины коэффициента прохождения на частоте дефектной моды, но не изменяет частоту пика. Оценены концентрация неравновесных носителей заряда и их время жизни. Результаты данной работы могут быть использованы при производстве управляемых устройств миллиметрового диапазона длин волн и в качестве метода неразрушающего контроля свойств при производстве полупроводников.