Особенности внутренней структуры крупных полупроводниковых монокристаллов алмаза, выращенных методом температурного градиента - Чепугов, А.П.; Емельянов, И.А.; Лысаковский, В.В.; Лысенко, О.Г. (Породоразрушающий и металлообрабатывающий инструмент – техника и технология его изготовления и применения, 2012)
Рассмотрена внутренняя структура кристаллов алмаза типа IIb, выращенных в системах на основе Fe–Al, легированных бором. Получены топограммы ИК–поглощения пластин и установлена зависимость их зонально-секториальной структуры от ориентации сечения относительно исходного кристалла и условий его выращивания.