Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization

The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonica...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2009
Main Authors:	Barannik, S.V., Kanischev, V.N., Nizhankovsky, S.V., Stepanenko, A.M.
Format:	Article
Language:	English
Published:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2009
Series:	Functional Materials
Subjects:	Technology
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	oai:nasplib.isofts.kiev.ua:123456789-138927
record_format	dspace
spelling	oai:nasplib.isofts.kiev.ua:123456789-1389272025-02-23T17:29:46Z Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization Особливості перехідного режиму при вирощуванні сапфіру методом горизонтальної направленої кристалізації Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. Technology The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonically. The crystallization front oscillations in the initial transient process that was predicted by numerical simulation has been confirmed experimentally. Вивчено поведінку межі кристал-розплав оксиду алюмінію на початку та в кінці вирощування сапфіру методом горизонтальної направленої кристалізації. Показано, що при постійній швидкості витягування кристала у холодну зону залежність швидкості кристалізації розплаву від часу може бути немонотонною. Одержано експериментальне підтвердження явища коливань фронту кристалізації у початковому перехідному процесі, раніше передбаченого чисельним моделюванням. Изучено поведение границы кристалл-расплав оксида алюминия в начале и конце выращивания сапфира методом горизонтально-направленной кристаллизации. Показано, что при постоянной скорости вытягивания кристалла в холодную зону зависимость скорости кристаллизации расплава от времени может вести себя немонотонно. Получено экспериментальное подтверждение явления колебаний фронта кристаллизации в начальном переходном процессе, ранее предсказанного численным моделированием. 2009 Article Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1027-5495 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/138927 en Functional Materials application/pdf НТК «Інститут монокристалів» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	English
topic	Technology Technology
spellingShingle	Technology Technology Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M. Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization Functional Materials
description	The behavior of the crystal/alumina melt boundary has been studied at the start and final stages of sapphire growing by horizontal directional crystallization. At a constant pulling speed of the crystal into the cold zone, the time dependence of the melt crystallization rate may behave nonmonotonically. The crystallization front oscillations in the initial transient process that was predicted by numerical simulation has been confirmed experimentally.
format	Article
author	Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M.
author_facet	Barannik, S.V. Kanischev, V.N. Nizhankovsky, S.V. Stepanenko, A.M.
author_sort	Barannik, S.V.
title	Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
title_short	Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
title_full	Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
title_fullStr	Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
title_full_unstemmed	Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
title_sort	transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
publisher	НТК «Інститут монокристалів» НАН України
publishDate	2009
topic_facet	Technology
citation_txt	Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization // S.V. Barannik, V.N. Kanischev, S.V. Nizhankovsky, A.M. Stepanenko // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 4. — С. 498-500. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
series	Functional Materials
work_keys_str_mv	AT baranniksv transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT kanischevvn transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT nizhankovskysv transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT stepanenkoam transientmodefeaturesatsapphiregrowingbyhorizontaldirectionalcrystallization AT baranniksv osoblivostíperehídnogorežimupriviroŝuvannísapfírumetodomgorizontalʹnoínapravlenoíkristalízacíí AT kanischevvn osoblivostíperehídnogorežimupriviroŝuvannísapfírumetodomgorizontalʹnoínapravlenoíkristalízacíí AT nizhankovskysv osoblivostíperehídnogorežimupriviroŝuvannísapfírumetodomgorizontalʹnoínapravlenoíkristalízacíí AT stepanenkoam osoblivostíperehídnogorežimupriviroŝuvannísapfírumetodomgorizontalʹnoínapravlenoíkristalízacíí
first_indexed	2025-07-22T04:20:32Z
last_indexed	2025-07-22T04:20:32Z
_version_	1838319437627785216

Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization

Institution

Similar Items