Компьютерное моделирование профилей дефектообразования при низкотемпературном облучении наноструктурной пленки Nb ионами Ti⁺ - Павленко, В.И.; Марченко, И.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2018)
Методами компьютерного моделирования исследованы профили образования точечных дефектов в зависимости от угла падения ионов при облучении поверхности ниобиевой наноструктурной пленки ионами Ti⁺. Энергия падающих ионов Е изменялась в интервале 0,5…2,0 кэВ, угол падения  варьировался от 0 до 80°. Получены угловые зависимости профилей распределения вакансий и межузельных атомов. Показано, что существует интервал углов падающих ионов, при котором наблюдаются максимальные значения концентраций вакансий и межузельных атомов