Holovatsky, V., Yakhnevych, M., & Voitsekhivska, O. (2018). Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field. Інститут фізики конденсованих систем НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Holovatsky, V.A, M.Ya Yakhnevych, und O.M Voitsekhivska. Optical Properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs Quantum Dot with Off-central Impurity Driven by Electric Field. Інститут фізики конденсованих систем НАН України, 2018.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Holovatsky, V.A, et al. Optical Properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs Quantum Dot with Off-central Impurity Driven by Electric Field. Інститут фізики конденсованих систем НАН України, 2018.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.