Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment

Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment

Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Надточий, В.А., Нечволод, Н.К., Голоденко, Н.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України 2004
Назва видання:	Физика и техника высоких давлений
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Изменение времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.Н. Голоденко // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 3. — С. 42-4. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Theory of oscillations in the STM conductance resulting from subsurface defects (Review Article)
за авторством: Avotina, Ye.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Theory of oscillations in the STM conductance resulting from subsurface defects (Review Article)
за авторством: Avotina, Ye.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Influence of polymeric covering and magnet treatment over carriers' lifetime in silicon that is used in solar energy industry
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Excessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystal
за авторством: Karasevskii, A.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Excessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystal
за авторством: Karasevskii, A.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Excessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystal
за авторством: A. I. Karasevskii, та інші
Опубліковано: (2015)

Method of measuring non-equilibrium carriers concentration and their lifetime in a semiconductor using the approach of a photonic crystal with a defect mode
за авторством: B. V. Chernyshov, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

The Role of Inhomogeneous Deformation and Correlation of Subsurface Defects in Grazing X-Ray Diffraction
за авторством: Ju. Gaevskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Microplasticity of subsurface layers of diamond-like semiconductors under microindentation
за авторством: Nadtochiy, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Microplasticity of subsurface layers of diamond-like semiconductors under microindentation
за авторством: Nadtochiy, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Dynamical Theory of Grazing Diffuse Scattering of X-Rays by a Crystal with Subsurface Defects
за авторством: Ju. Gaevskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Detection of subsurface local defects of metallic structures using the method of correlation signal processing
за авторством: Ya. P. Kulynych, та інші
Опубліковано: (2013)

Detection of planar subsurface defects in fiberglass plastic composite panels by optical-acoustic method
за авторством: L. I. Muravskyi, та інші
Опубліковано: (2022)

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Impact of subsurface layers hardened by interstitial elements on titanium mechanical properties
за авторством: V. M. Fedirko, та інші
Опубліковано: (2019)

Localization of elongated subsurface defects in case of movement of the primary field source on the surface of metallic product
за авторством: I. I. Tryhub
Опубліковано: (2016)

Thermal conductivity of copper with the addition of n-layer graphene
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Estimation on frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the region of volume charge on the surface generation of carriers
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Estimation on frequency characteristics of a photodiode determined by the motion of charge carriers in the region of volume charge on the surface generation of carriers
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Carrier decay lifetimes in the narrow-gap Hg1 – xCdxTe at the interband and intraband excitations
за авторством: S. Staryi, та інші
Опубліковано: (2023)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)