Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония
Исследованы зависимости от времени электропроводности образцов NH4X (X = F, Cl, Br), находящихся в проводящих состояниях. При давлениях, существенно превышающих давления перехода в проводящие состояния, сопротивление меняется во времени по экспоненциальному закону. Характерные времена релаксации сос...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физика и техника высоких давлений |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония / Г.В. Тихомирова, А.Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 4. — С. 52-55. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
oai:nasplib.isofts.kiev.ua:123456789-168098 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
oai:nasplib.isofts.kiev.ua:123456789-1680982025-02-23T17:37:32Z Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония Релаксаційні ефекти поблизу індукованих тиском фазових переходів. Електропровідність галогенідів амонію Relaxation effects at pressure induced phase transitions. Ammonium halides resistance Тихомирова, Г.В. Бабушкин, А.Н. Исследованы зависимости от времени электропроводности образцов NH4X (X = F, Cl, Br), находящихся в проводящих состояниях. При давлениях, существенно превышающих давления перехода в проводящие состояния, сопротивление меняется во времени по экспоненциальному закону. Характерные времена релаксации составляют десятки секунд. В окрестности переходов наблюдаются существенные отклонения от монотонности. The time dependences of resistance of the conducting states of NH4X (X = F, Cl, Br) was studied. At the pressures essentially exceeding pressures of transition to conducting states the resistance varies with time exponentially. Typical relaxation times exceed tens seconds. In the vicinity of transitions essential deviations from monotony are observed. Работа выполнена при частичной поддержке программы «Фундаментальные исследования и высшее образование» Минобрнауки РФ, Правительства Свердловской области и CRDF (грант EK-005-00-X1) в рамках Уральского научно-образовательного центра «Перспективные материалы». 2004 Article Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония / Г.В. Тихомирова, А.Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 4. — С. 52-55. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0868-5924 PACS: 81.40.Vw, 72.80.−r, 72.60.+g https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168098 ru Физика и техника высоких давлений application/pdf Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследованы зависимости от времени электропроводности образцов NH4X (X = F, Cl, Br), находящихся в проводящих состояниях. При давлениях, существенно превышающих давления перехода в проводящие состояния, сопротивление меняется во времени по экспоненциальному закону. Характерные времена релаксации составляют десятки секунд. В окрестности переходов наблюдаются существенные отклонения от монотонности. |
| format |
Article |
| author |
Тихомирова, Г.В. Бабушкин, А.Н. |
| spellingShingle |
Тихомирова, Г.В. Бабушкин, А.Н. Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония Физика и техника высоких давлений |
| author_facet |
Тихомирова, Г.В. Бабушкин, А.Н. |
| author_sort |
Тихомирова, Г.В. |
| title |
Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония |
| title_short |
Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония |
| title_full |
Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония |
| title_fullStr |
Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония |
| title_full_unstemmed |
Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония |
| title_sort |
релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. электропроводность галогенидов аммония |
| publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України |
| publishDate |
2004 |
| citation_txt |
Релаксационные эффекты в окрестности индуцированных давлением фазовых переходов. Электропроводность галогенидов аммония / Г.В. Тихомирова, А.Н. Бабушкин // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 4. — С. 52-55. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Физика и техника высоких давлений |
| work_keys_str_mv |
AT tihomirovagv relaksacionnyeéffektyvokrestnostiinducirovannyhdavleniemfazovyhperehodovélektroprovodnostʹgalogenidovammoniâ AT babuškinan relaksacionnyeéffektyvokrestnostiinducirovannyhdavleniemfazovyhperehodovélektroprovodnostʹgalogenidovammoniâ AT tihomirovagv relaksacíjníefektipoblizuíndukovanihtiskomfazovihperehodívelektroprovídnístʹgalogenídívamoníû AT babuškinan relaksacíjníefektipoblizuíndukovanihtiskomfazovihperehodívelektroprovídnístʹgalogenídívamoníû AT tihomirovagv relaxationeffectsatpressureinducedphasetransitionsammoniumhalidesresistance AT babuškinan relaxationeffectsatpressureinducedphasetransitionsammoniumhalidesresistance |
| first_indexed |
2025-07-22T04:24:44Z |
| last_indexed |
2025-07-22T04:24:44Z |
| _version_ |
1838319701932900352 |