Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
Досліджено кристали n-кремнію, леговані домішкою фосфору як традиційним металургійним способом (у процесі вирощування через розплав), так і методом ядерної трансмутації (перетворення ізотопів кремнію у процесі захоплення ними теплових нейтронів). Принципова відмінність трансмутаційного легування ві...
Gespeichert in:
Datum: | 2020 |
---|---|
1. Verfasser: | Гайдар, Г.П. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Ukrainian |
Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2020
|
Schriftenreihe: | Доповіді НАН України |
Schlagworte: | |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2020. — № 5. — С. 42-51. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2020) -
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2018) -
Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Направлена динаміка флюксонів у джозефсонівських контактах під впливом періодичних збурень
von: Золотарюк, Я.О.
Veröffentlicht: (2011) -
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2019)