Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП
Представлена теория для расчетов электронной плотности в ВТСП, которая обобщает статистический метод Томаса—Ферми и расширяет область его применимости в случае малых добавок к плавно изменяющемуся потенциалу....
Saved in:
Date: | 1996 |
---|---|
Main Author: | Резник, И.М. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
Series: | Физика низких температур |
Subjects: | |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП / И.М. Резник // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 524-526. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП
by: Резник, И.М.
Published: (1996) -
Фазовые переходы и механизм сверхпроводимости в ВТСП оксидах
by: Аншукова, Н.В., et al.
Published: (1996) -
О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
by: Амелин, И.И.
Published: (1996) -
К вопросу о сверхпроводящем и нормальном состояниях ВТСП
by: Абрамов, В.С.
Published: (1996) -
Локализованные и квазинизкоразмерные фононы в многослойных кристаллах типа ВТСП
by: Господарев, И.А., et al.
Published: (1996)