Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП
Представлена теория для расчетов электронной плотности в ВТСП, которая обобщает статистический метод Томаса—Ферми и расширяет область его применимости в случае малых добавок к плавно изменяющемуся потенциалу....
Gespeichert in:
Datum: | 1996 |
---|---|
1. Verfasser: | Резник, И.М. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
Schriftenreihe: | Физика низких температур |
Schlagworte: | |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП / И.М. Резник // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 524-526. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП
von: Резник, И.М.
Veröffentlicht: (1996) -
Фазовые переходы и механизм сверхпроводимости в ВТСП оксидах
von: Аншукова, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (1996) -
О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
von: Амелин, И.И.
Veröffentlicht: (1996) -
К вопросу о сверхпроводящем и нормальном состояниях ВТСП
von: Абрамов, В.С.
Veröffentlicht: (1996) -
Локализованные и квазинизкоразмерные фононы в многослойных кристаллах типа ВТСП
von: Господарев, И.А., et al.
Veröffentlicht: (1996)