Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП
Представлена теория для расчетов электронной плотности в ВТСП, которая обобщает статистический метод Томаса—Ферми и расширяет область его применимости в случае малых добавок к плавно изменяющемуся потенциалу....
Збережено в:
Дата: | 1996 |
---|---|
Автор: | Резник, И.М. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП / И.М. Резник // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 5. — С. 524-526. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Модифицированный статистический метод и распределение электронного заряда в ВТСП
за авторством: Резник, И.М.
Опубліковано: (1996) -
Фазовые переходы и механизм сверхпроводимости в ВТСП оксидах
за авторством: Аншукова, Н.В., та інші
Опубліковано: (1996) -
О возможном бозежидкостном механизме возникновения СП состояния в ВТСП соединениях
за авторством: Амелин, И.И.
Опубліковано: (1996) -
К вопросу о сверхпроводящем и нормальном состояниях ВТСП
за авторством: Абрамов, В.С.
Опубліковано: (1996) -
Локализованные и квазинизкоразмерные фононы в многослойных кристаллах типа ВТСП
за авторством: Господарев, И.А., та інші
Опубліковано: (1996)