Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням р...
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2021
|
| Schriftenreihe: | Доповіді НАН України |
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані
бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу
одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням
розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу
кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом силової кельвін-зонд-мікроскопії. Показано необхідність застосування визна чених
оптичних і електрофізичних діагностичних методів паспортизації напівпровідникового матеріалу р-типу
і перспективність використання односекторних напівпровідникових пластин для розробки конструкцій діодів Шотткі. |
|---|