Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆
Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2012
|
| Schriftenreihe: | Украинский химический журнал |
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ / І.В.Горічок // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 12. — С. 107-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSchreiben Sie den ersten Kommentar!