Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением
Обоснована необходимость внедрения монолитно интегрированных Si/AIIIBV-источников света. Проанализировано влияние динамики температурного изменения на реверсивный режим включения светодиодов в качестве фотоприемников в интегрированных Si/AIIIBV-источниках света. Исследовано влияние температурной дин...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2012
|
| Schriftenreihe: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние тепловых процессов в Si/AIIIBV RGB-матрицах светодиодов на реверсивное микропроцессорное управление освещением / П.В. Деминский, В.И. Осинский // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2012. — Т. 14, № 2. — С. 3-13. — Бібліогр.: 13 назв. — pос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Обоснована необходимость внедрения монолитно интегрированных Si/AIIIBV-источников света. Проанализировано влияние динамики температурного изменения на реверсивный режим включения светодиодов в качестве фотоприемников в интегрированных Si/AIIIBV-источниках света. Исследовано влияние температурной динамики на длину волны, интенсивность излучения и цветовую температуру исследуемых образцов. Исследована сила света диодных источников видимого излучения в зависимости от температуры. Обоснована необходимость использования при реализации монолитных интегральных Si/AIIIBV-источников света нескольких светодиодов в разнесенные во времени моменты в реверсивном режиме включения. |
|---|