Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использ...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с распределенным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода. |
|---|