Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества - Солодуха, В.А.; Турцевич, А.С.; Соловьёв, Я.А.; Рубцевич, И.И.; Керенцев, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с распределенным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода.