Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта - Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Саидова, Р.А.; Гиясова, Ф.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, представляющей интерес для волоконно-оптических систем.