Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2007
Main Authors:	Босый, В.И., Данилов, Н.Г., Кохан, В.П., Новицкий, В.А., Семашко, Е.М., Ткаченко, В.В., Шпоняк, Т.А.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Series:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Description
Summary:	Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.