Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов - Босый, В.И.; Данилов, Н.Г.; Кохан, В.П.; Новицкий, В.А.; Семашко, Е.М.; Ткаченко, В.В.; Шпоняк, Т.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.