Изменение энергии основного состояния MnAs при индуцированных давлением магнитоструктурных переходах «высокий спин−низкий спин» - Вальков, В.И.; Головчан, А.В. (Физика и техника высоких давлений, 2005)
Первопринципным методом FP-LMTO исследовалось основное состояние MnAs с гексагональной (В81) и искаженной ромбической (В31) кристаллической структурой. Показано, что в этом соединении при изменении объема решетки происходит непрерывный переход от высоко- к низкоспиновому состоянию. Исходя из результатов расчета полной энергии исследуемой системы как функции параметров структурных искажений, установлено, что высокоспиновое состояние подавляет структурные искажения, а низкоспиновое – наоборот, усиливает их. Предположено, что качественная интерпретация механизма магнитоструктурных переходов в MnAs должна исходить из представления о главенствующей роли степени заполнения «антисвязующих» состояний коллективизированных носителей магнетизма.