Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем - Марьянчук, П.Д.; Дымко, Л.Н.; Романишин, Т.Р.; Ковалюк, Т.Т.; Брус, В.В.; Солован, М.Н.; Мостовой, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn—Тe—Mn—Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 10²⁰ см⁻³.