Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
Исследована технология конденсации в вакууме тонких нанонеоднородных пленок Ge на полуизолирующие подложки GaAs (100). Использованы методы атомно-силовой микроскопии, оптической спектроскопии, измерения внутренних механических напряжений в пленке и ее электронных свойств. Показана возможность получе...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках / Е.Ф. Венгер, П.М. Литвин, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, В.В. Холевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 39-44. — Бібліогр.: 123 назв. — рос. |