Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения - Будзуляк, С.И.; Корбутяк, Д.В.; Лоцько, А.П.; Вахняк, Н.Д.; Калитчук, С.М.; Демчина, Л.А.; Конакова, Р.В.; Шинкаренко, В.В.; Мельничук, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd—СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга—Рис) от времени облучения.