Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры...
Saved in:
Date: | 2003 |
---|---|
Main Authors: | Ковалюк, З.Д., Махний, В.П., Янчук, А.И. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия / З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2003) -
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
by: Терлецкая, Л.Л., et al.
Published: (2003) -
Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
by: Терлецкая, Л.Л., et al.
Published: (2003) -
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
by: Колежук, К.В., et al.
Published: (2003) -
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
by: Колежук, К.В., et al.
Published: (2003)