Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра - Ковтун, Г.П.; Кравченко, А.И.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента.