Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротив...
Gespeichert in:
| Datum: | 2000 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSchreiben Sie den ersten Kommentar!