Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов....
Gespeichert in:
Datum: | 2000 |
---|---|
Hauptverfasser: | Иващук, А.В., Кохан В.П. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Schlagworte: | |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
von: Иващук, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2000) -
Устройство управления импульсным режимом электролиза при создании контактных площадок
von: Альбота, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Устройство управления импульсным режимом электролиза при создании контактных площадок
von: Альбота, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
von: Иващук, А.В.
Veröffentlicht: (2000) -
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
von: Иващук, А.В.
Veröffentlicht: (2000)