Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов....
Saved in:
Date: | 2000 |
---|---|
Main Authors: | Иващук, А.В., Кохан В.П. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
by: Иващук, А.В., et al.
Published: (2000) -
Устройство управления импульсным режимом электролиза при создании контактных площадок
by: Альбота, Л.А., et al.
Published: (2003) -
Устройство управления импульсным режимом электролиза при создании контактных площадок
by: Альбота, Л.А., et al.
Published: (2003) -
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
by: Иващук, А.В.
Published: (2000) -
Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
by: Иващук, А.В.
Published: (2000)