Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs - Сизов, Ф.Ф.; Гришин, Ю.Г.; Круковський, С.І.; Опилат, В.Я.; Петренко, І.В.; Савкіна, Р.К.; Смірнов, О.Б.; Тартачник, В.П. (Видавничий дім "Академперіодика" НАН України, 2009)
Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбувається радiацiйно стимульоване зростання прямого струму дiодiв внаслiдок зменшення концентрацiї основних носiїв заряду та часу життя неосновних носiїв заряду. Причиною змiни параметрiв є радiацiйне введення пасток.