Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конеч...
Saved in:
| Date: | 2014 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2014
|
| Series: | Доповіді НАН України |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |