Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель - Лизунов, В.В.; Кочелаб, Е.В.; Скакунова, Е.С.; Лень, Е.Г.; Молодкин, В.Б.; Олиховский, С.И.; Толмачёв, Н.Г.; Шелудченко, Б.В.; Лизунова, С.В.; Скапа, Л.Н. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2015)
Построена обобщённая модель дисперсионно чувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов, позволяющая проводить анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для произвольных эффективных толщин кристалла. Введён параметр, характеризующий эффект аномального роста относительного вклада диффузного рассеяния. Предложенная теоретическая модель может обеспечить решение обратной многопараметрической задачи восстановления характеристик сложных дефектных структур в монокристаллах, применяемых в современных нанотехнологиях.