Механические свойства наноструктурных керметов на основе Al₂O₃, полученных электронно-лучевым осаждением в вакууме
Приведены результаты исследований микротвердости толстых (20… 60 мкм) керамико-металлических конденсатов систем Al₂O₃—Me (где Me – ниобий, молибден, титан, цирконий, кобальт) в зависимости от основных технологических параметров их синтеза – температуры подложки Tп и количества вводимой в матрицу Al₂...
Saved in:
Date: | 2012 |
---|---|
Main Author: | |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
2012
|
Series: | Современная электрометаллургия |
Subjects: | |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Механические свойства наноструктурных керметов на основе Al₂O₃, полученных электронно-лучевым осаждением в вакууме / Я.А. Стельмах // Современная электрометаллургия. — 2012. — № 2 (107). — С. 25-30. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSummary: | Приведены результаты исследований микротвердости толстых (20… 60 мкм) керамико-металлических конденсатов систем Al₂O₃—Me (где Me – ниобий, молибден, титан, цирконий, кобальт) в зависимости от основных технологических параметров их синтеза – температуры подложки Tп и количества вводимой в матрицу Al₂O₃ металлической добавки. Определены наиболее перспективные металлические добавки для получения керметов с высокой микротвердостью. Показано, что введение металлической составляющей в паровой поток Al₂O₃ позволяет синтезировать стабильные конденсаты с микротвердостью до НV = 20… 22 ГПа. Исследованиями ТЭМ установлено, что данные керметы находятся в наноструктурном состоянии. Показано, что применение ионной активации парового потока металлической добавки существенно повышает микротвердость керметов. Установлено, что термическая активация вносит дополнительный вклад в увеличение микротвердости керметов полученных электронно-лучевым осаждением. |
---|