Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
На зразках n−Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформацiї вiдбувається лише вiдносне змiщення iзоенергетичних елiпсоїдiв у шкалi енергiй, однак форма елiпсоїдiв залишається при цьому незмiнною....
Gespeichert in:
Datum: | 2015 |
---|---|
Hauptverfasser: | Гайдар, Г.П., Баранський, П.І. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Ukrainian |
Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2015
|
Schriftenreihe: | Доповіді НАН України |
Schlagworte: | |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2015. — № 6. — С. 68-73. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2012)