Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси Н2 и СН4 . Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано влияние температуры подложек и их пр...
Saved in:
| Date: | 2007 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2007
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде / И.И. Выровец, В.И. Грицына, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 1-2. — С. 87–93. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo
и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси
Н2 и СН4
. Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано
влияние температуры подложек и их предварительной подготовки на процессы зарождения и
роста пленок, а также параметры их субструктуры. Показано, что во всем исследованном диапазоне температур (900 – 1300 °С) механическая обработка поверхности подложек алмазной
пастой или порошком детонационного ультрадисперсного алмаза обеспечивает существенное
повышение плотности центров зародышеобразования алмаза и позволяет осаждать качественные сплошные пленки толщиной от 2 мкм со скоростью не менее 1 мкм/ч. |
|---|