Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде - Выровец, И.И.; Грицына, В.И.; Опалев, О.А.; Решетняк, Е.Н.; Стрельницкий, В.Е. (Физическая инженерия поверхности, 2007)
Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси Н2 и СН4 . Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано влияние температуры подложек и их предварительной подготовки на процессы зарождения и роста пленок, а также параметры их субструктуры. Показано, что во всем исследованном диапазоне температур (900 – 1300 °С) механическая обработка поверхности подложек алмазной пастой или порошком детонационного ультрадисперсного алмаза обеспечивает существенное повышение плотности центров зародышеобразования алмаза и позволяет осаждать качественные сплошные пленки толщиной от 2 мкм со скоростью не менее 1 мкм/ч.