Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts - Storozhenko, I. P. (Видавничий дім «Академперіодика», 2013)
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений AlxGa1-xAs при x=0ё0.2.