Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	S. W. Lee, S. I. Vlaskina, V. I. Vlaskin, I. V. Zaharchenko, V. A. Gubanov, G. N. Mishinova, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. A. Podlasov
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2010
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349120
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