Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2006
1. Verfasser:	S. I. Krukovskij
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2006
Schriftenreihe:	Technology and design in electronic equipment
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455221
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

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