Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes

Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
Hauptverfasser:	P. M. Romanets, R. V. Konakova, M. S. Boltovets, V. V. Basanets, Ya. Ya. Kudryk, V. S. Slipokurov
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2019
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000433
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