Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автор: | Z. F. Tsybrii |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001032435 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012) -
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003) -
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999) -
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001) -
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)