High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | A. O. Druzhynin, I. Y. Mariamova, O. P. Kutrakov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001034090 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2021) -
Dual-function pressure-temperature sensor based on silicon whiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2013) -
GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016) -
Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015) -
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)