Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	N. P. Tatyanenko, N. N. Roshchina, V. L. Gromashevskii, G. S. Svechnikov, L. V. Zavyalova, B. A. Snopok
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2018
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000923038
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