Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6

Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
Hauptverfasser:	A. A. Ashcheulov, A. V. Galochkin, I. S. Romanjuk, S. G. Dremljuzhenko
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2016
Schriftenreihe:	Technology and design in electronic equipment
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000546549
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