Excitons formed from spatially separated electrons and holes in Ge/Si geterostructures with quantum dots

Excitons formed from spatially separated electrons and holes in Ge/Si geterostructures with quantum dots

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
1. Verfasser:	S. I. Pokutnij
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2016
Schriftenreihe:	Low Temperature Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000649340
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