The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
Hauptverfasser:	A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, V. M. Vlasiuk, I. O. Sokolovskyi, M. Evstigneev
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2016
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714435
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