Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment

Electronic structure of 2H-SnSe2: ab initio modeling and comparison with experiment

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
Hauptverfasser:	D. I. Bletskan, K. E. Glukhov, V. V. Frolova
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2016
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000714542
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